BSZ018NE2LSI
BSZ018NE2LSI
Modelo do Produto:
BSZ018NE2LSI
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16835 Pieces
Ficha de dados:
BSZ018NE2LSI.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TSDSON-8-FL
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 69W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSZ018NE2LSI-ND
BSZ018NE2LSIATMA1
SP000906032
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:BSZ018NE2LSI
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:22A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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