BT169G,126
BT169G,126
Modelo do Produto:
BT169G,126
Fabricante:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição:
THYRISTOR 600V 0.8A SOT54
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18084 Pieces
Ficha de dados:
BT169G,126.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - On Estado (VTM) (Max):1.7V
Tensão - Estado Off:600V
Tensão - de acionamento do gate (Vgt) (Max):800mV
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
Tipo SCR:Sensitive Gate
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Outros nomes:1740-1091-3
568-11772-3
568-11772-3-ND
934002840126
BT169G AMO
BT169G AMO-ND
BT169G,126-ND
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:BT169G,126
Descrição expandida:SCR 600V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
Descrição:THYRISTOR 600V 0.8A SOT54
Atual - On Estado (It (RMS)) (Max):800mA
Atual - On Estado (It (AV)) (Max):500mA
Atual - Off Estado (Max):100µA
Atual -. Não Rep Surge 50, 60Hz (ITSM):8A, 9A
Atual - Hold (Ih) (Max):5mA
Atual - de acionamento do gate (lgt) (Max):200µA
Email:[email protected]

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