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BUK652R1-30C,127
- Modelo do Produto:
- BUK652R1-30C,127
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 19875 Pieces
- Ficha de dados:
- BUK652R1-30C,127.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BUK652R1-30C,127, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BUK652R1-30C,127 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | TrenchMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 263W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | 568-7491-5 934064241127 BUK652R1-30C,127-ND BUK652R130C127 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | BUK652R1-30C,127 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10918pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 168nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 30V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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