BUK7E2R7-30B,127
BUK7E2R7-30B,127
Modelo do Produto:
BUK7E2R7-30B,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13299 Pieces
Ficha de dados:
BUK7E2R7-30B,127.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.7 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:568-6629
568-6629-5
568-6629-ND
934058024127
BUK7E2R7-30B
BUK7E2R7-30B,127-ND
BUK7E2R7-30B-ND
BUK7E2R730B127
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BUK7E2R7-30B,127
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6212pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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