BUK961R5-30E,118
BUK961R5-30E,118
Modelo do Produto:
BUK961R5-30E,118
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Lead free by exemption / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
17020 Pieces
Ficha de dados:
BUK961R5-30E,118.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):324W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:568-10172-2
934066661118
BUK961R5-30E,118-ND
BUK961R530E118
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BUK961R5-30E,118
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:93.4nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 120A (Tc) 324W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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