BUK9Y6R0-60E,115
BUK9Y6R0-60E,115
Modelo do Produto:
BUK9Y6R0-60E,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14089 Pieces
Ficha de dados:
BUK9Y6R0-60E,115.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LFPAK56, Power-SO8
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.2 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):195W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-100, SOT-669
Outros nomes:1727-1504-2
568-10984-2
568-10984-2-ND
934067018115
BUK9Y6R0-60E,115-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BUK9Y6R0-60E,115
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6319pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39.4nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 100A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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