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C3M0280090J
- Modelo do Produto:
- C3M0280090J
- Fabricante:
- Cree
- Descrição:
- MOSFET N-CH 900V 11A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12316 Pieces
- Ficha de dados:
- C3M0280090J.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para C3M0280090J, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para C3M0280090J por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1.2mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +18V, -8V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D2PAK-7 |
| Série: | C3M™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Dissipação de energia (Max): | 50W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | C3M0280090J |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 600V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.5nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 15V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 900V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 900V 11A |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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