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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Diodos - retificadores - Single > C4D10120E-TR
C4D10120E-TR
C4D10120E-TR
Modelo do Produto:
C4D10120E-TR
Fabricante:
Cree
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14768 Pieces
Ficha de dados:
C4D10120E-TR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.8V @ 10A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252-2
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Série:Z-Rec®
Inversa de tempo de recuperação (trr):0ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:C4D10120E-TR
Descrição expandida:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 33A Surface Mount TO-252-2
Tipo Diode:Silicon Carbide Schottky
Descrição:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
Atual - dispersão reversa @ Vr:250µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io):33A
Capacitância @ Vr, F:754pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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