CMF05(TE12L,Q,M)
CMF05(TE12L,Q,M)
Modelo do Produto:
CMF05(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 1KV 500MA MFLAT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14697 Pieces
Ficha de dados:
CMF05(TE12L,Q,M).pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:2.7V @ 500mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1000V (1kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor:M-FLAT (2.4x3.8)
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):100ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOD-128
Outros nomes:CMF05(TE12L,Q)
CMF05(TE12LQM)TR
CMF05TE12LQM
Temperatura de Operação - Junção:-40°C ~ 125°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):4 (72 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:CMF05(TE12L,Q,M)
Descrição expandida:Diode Standard 1000V (1kV) 500mA Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 1KV 500MA MFLAT
Atual - dispersão reversa @ Vr:50µA @ 800V
Atual - rectificada média (Io):500mA
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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