CMH08A(TE12L,Q,M)
CMH08A(TE12L,Q,M)
Modelo do Produto:
CMH08A(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16149 Pieces
Ficha de dados:
CMH08A(TE12L,Q,M).pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.8V @ 2A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):400V
Embalagem do dispositivo fornecedor:M-FLAT (2.4x3.8)
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):35ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOD-128
Outros nomes:CMH08A(T2L,TEM,Q)
CMH08A(TE12L,Q)
CMH08A(TE12LQ)TR
CMH08A(TE12LQ)TR-ND
CMH08A(TE12LQM)TR
CMH08ATE12LQM
Temperatura de Operação - Junção:-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:CMH08A(TE12L,Q,M)
Descrição expandida:Diode Standard 400V 2A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 400V
Atual - rectificada média (Io):2A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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