CSD16323Q3C
Modelo do Produto:
CSD16323Q3C
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
15081 Pieces
Ficha de dados:
CSD16323Q3C.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SON Exposed Pad (3x3)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.5 mOhm @ 24A, 8V
Dissipação de energia (Max):3W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-28096-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD16323Q3C
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 12.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-SON Exposed Pad (3x3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):3V, 8V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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