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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CSD17581Q5AT
CSD17581Q5AT
Modelo do Produto:
CSD17581Q5AT
Fabricante:
Descrição:
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19273 Pieces
Ficha de dados:
CSD17581Q5AT.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSONP (5x6)
Série:*
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.4 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 83W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-44867-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD17581Q5AT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3640pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 24A (Ta), 123A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 123A (Tc)
Email:[email protected]

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