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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CSD18535KTT
CSD18535KTT
Modelo do Produto:
CSD18535KTT
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 200A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19869 Pieces
Ficha de dados:
CSD18535KTT.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DDPAK/TO-263-3
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):2 (1 Year)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD18535KTT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6620pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:81nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 200A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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