CSD18543Q3AT
Modelo do Produto:
CSD18543Q3AT
Fabricante:
Descrição:
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Quantidade disponível:
16033 Pieces
Ficha de dados:
CSD18543Q3AT.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSON (3.3x3.3)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15.6 mOhm @ 12A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):66W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:296-45302-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD18543Q3AT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 12A (Ta), 60A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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