CTLDM3590 TR
CTLDM3590 TR
Modelo do Produto:
CTLDM3590 TR
Fabricante:
Central Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14546 Pieces
Ficha de dados:
CTLDM3590 TR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TLM3D6D8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):125mW (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:3-XFDFN
Outros nomes:CTLDM3590 DKR
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:CTLDM3590 TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.46nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:160mA (Ta)
Email:[email protected]

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