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DBD10G-E
- Modelo do Produto:
- DBD10G-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17784 Pieces
- Ficha de dados:
- DBD10G-E.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DBD10G-E, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DBD10G-E por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Pico Reversa (Max): | 600V |
|---|---|
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.05V @ 500mA |
| Tecnologia: | Standard |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Outros nomes: | DBD10G-E-ND DBD10G-EOSTB |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | DBD10G-E |
| Descrição expandida: | Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole |
| Tipo Diode: | Single Phase |
| Descrição: | DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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