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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTC114WE-7-F
DDTC114WE-7-F
DDTC114WE-7-F
Modelo do Produto:
DDTC114WE-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19724 Pieces
Ficha de dados:
DDTC114WE-7-F.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-523
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:150mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-523
Outros nomes:DDTC114WE-FDICT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:DDTC114WE-7-F
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:24 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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