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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTC115GE-7
DDTC115GE-7
DDTC115GE-7
Modelo do Produto:
DDTC115GE-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
14752 Pieces
Ficha de dados:
DDTC115GE-7.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-523
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):100k
Resistor - Base (R1) (Ohms):-
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-523
Outros nomes:DDTC115GE7
Tipo de montagem:Surface Mount
Número de peça do fabricante:DDTC115GE-7
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:82 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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