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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTD113EC-7-F
DDTD113EC-7-F
DDTD113EC-7-F
Modelo do Produto:
DDTD113EC-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12673 Pieces
Ficha de dados:
DDTD113EC-7-F.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):1k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DDTD113EC-7-F-ND
DDTD113EC-7-FDITR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:DDTD113EC-7-F
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:33 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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