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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTD122TU-7
DDTD122TU-7
DDTD122TU-7
Modelo do Produto:
DDTD122TU-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
12730 Pieces
Ficha de dados:
DDTD122TU-7.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-323
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):220
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:DDTD122TU7
Tipo de montagem:Surface Mount
Número de peça do fabricante:DDTD122TU-7
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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