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DF10G6M4N,LF
- Modelo do Produto:
- DF10G6M4N,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17078 Pieces
- Ficha de dados:
- DF10G6M4N,LF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DF10G6M4N,LF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DF10G6M4N,LF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Reverse Standoff (Typ): | 5.5V (Max) |
|---|---|
| Tensão - Aperto (Max) @ Ipp: | 25V |
| Voltagem - Discriminação (Min): | 5.6V |
| Digitar: | Zener |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 10-DFN (2.5x1) |
| Série: | - |
| Proteção da linha de alimentação: | No |
| Potência - Pico de pulso: | 30W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 10-UFDFN |
| Outros nomes: | DF10G6M4N,LF(D DF10G6M4NLFTR |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DF10G6M4N,LF |
| Descrição: | TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN |
| Corrente - Pico de Pulso (10 / 1000μs): | 2A (8/20µs) |
| Capacitância @ Frequency: | 0.2pF @ 1MHz |
| Canais Bidirecionais: | 4 |
| aplicações: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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