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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMG1016UDW-7
DMG1016UDW-7
DMG1016UDW-7
Modelo do Produto:
DMG1016UDW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13356 Pieces
Ficha de dados:
DMG1016UDW-7.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-363
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Power - Max:330mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:DMG1016UDW-7DITR
DMG1016UDW7
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:DMG1016UDW-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60.67pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.74nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.07A, 845mA 330mW Surface Mount SOT-363
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.07A, 845mA
Email:[email protected]

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