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DMG6601LVT-7
- Modelo do Produto:
- DMG6601LVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18394 Pieces
- Ficha de dados:
- DMG6601LVT-7.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMG6601LVT-7, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMG6601LVT-7 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TSOT-26 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Power - Max: | 850mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Outros nomes: | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMG6601LVT-7 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 422pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.8A, 2.5A |
| Email: | [email protected] |
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