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DMHC6070LSD-13
- Modelo do Produto:
- DMHC6070LSD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16976 Pieces
- Ficha de dados:
- DMHC6070LSD-13.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMHC6070LSD-13, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMHC6070LSD-13 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| Power - Max: | 1.6W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | DMHC6070LSD-13DITR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMHC6070LSD-13 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 731pF @ 20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.1A, 2.4A |
| Email: | [email protected] |
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