DMN100-7-F
DMN100-7-F
Modelo do Produto:
DMN100-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16519 Pieces
Ficha de dados:
DMN100-7-F.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-59-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:240 mOhm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DMN100-FDITR
DMN1007F
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:DMN100-7-F
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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