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DMN2013UFDE-7
- Modelo do Produto:
- DMN2013UFDE-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18054 Pieces
- Ficha de dados:
- DMN2013UFDE-7.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMN2013UFDE-7, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMN2013UFDE-7 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 660mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | DMN2013UFDE-7DITR DMN2013UFDE7 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMN2013UFDE-7 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2453pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 25.8nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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