DMN2600UFB-7
DMN2600UFB-7
Modelo do Produto:
DMN2600UFB-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12276 Pieces
Ficha de dados:
DMN2600UFB-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:3-DFN1006 (1.0x0.6)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):540mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-UFDFN
Outros nomes:DMN2600UFB-7DI
DMN2600UFB-7DI-ND
DMN2600UFB-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:DMN2600UFB-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:70.13pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.85nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

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