DMN62D1LFD-7
DMN62D1LFD-7
Modelo do Produto:
DMN62D1LFD-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19459 Pieces
Ficha de dados:
DMN62D1LFD-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:X1-DFN1212-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 100mA, 4V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-UDFN
Outros nomes:DMN62D1LFD-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMN62D1LFD-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:36pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.55nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:400mA (Ta)
Email:[email protected]

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