DMN65D8LFB-7B
DMN65D8LFB-7B
Modelo do Produto:
DMN65D8LFB-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12622 Pieces
Ficha de dados:
DMN65D8LFB-7B.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:X1-DFN1006-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 115mA, 10V
Dissipação de energia (Max):430mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-UFDFN
Outros nomes:DMN65D8LFB-7BDITR
DMN65D8LFB7B
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMN65D8LFB-7B
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:260mA (Ta)
Email:[email protected]

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