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DMNH10H028SCT
- Modelo do Produto:
- DMNH10H028SCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18236 Pieces
- Ficha de dados:
- DMNH10H028SCT.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMNH10H028SCT, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMNH10H028SCT por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.8W (Ta) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | DMNH10H028SCTDI-5 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMNH10H028SCT |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1942pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 31.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220AB |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
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