DMP1012UCB9-7
Modelo do Produto:
DMP1012UCB9-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET P-CH 8V 10A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15597 Pieces
Ficha de dados:
DMP1012UCB9-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:U-WLB1515-9
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):890mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:9-UFBGA, WLBGA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:DMP1012UCB9-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 8V 10A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição:MOSFET P-CH 8V 10A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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