DMP1200UFR4-7
DMP1200UFR4-7
Modelo do Produto:
DMP1200UFR4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14451 Pieces
Ficha de dados:
DMP1200UFR4-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:X2-DFN1010-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):480mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-XFDFN
Outros nomes:DMP1200UFR4-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMP1200UFR4-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:514pF @ 5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1010-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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