DMP2010UFG-7
DMP2010UFG-7
Modelo do Produto:
DMP2010UFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16874 Pieces
Ficha de dados:
DMP2010UFG-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI3333-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):900mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:DMP2010UFG-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMP2010UFG-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3350pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12.7A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

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