DMS2120LFWB-7
Modelo do Produto:
DMS2120LFWB-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19846 Pieces
Ficha de dados:
DMS2120LFWB-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-DFN3020B (3x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:95 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:DMS2120LFWB-7DITR
DMS2120LFWB7
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMS2120LFWB-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:632pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 20V 2.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN3020B (3x2)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

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