DTA123JETL
DTA123JETL
Modelo do Produto:
DTA123JETL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12269 Pieces
Ficha de dados:
DTA123JETL.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:EMT3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-75, SOT-416
Outros nomes:DTA123JETL-ND
DTA123JETLTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:DTA123JETL
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
Descrição:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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