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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTB513ZMT2L
DTB513ZMT2L
DTB513ZMT2L
Modelo do Produto:
DTB513ZMT2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16044 Pieces
Ficha de dados:
DTB513ZMT2L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:VMT3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:DTB513ZMT2L
Frequência - Transição:260MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
Descrição:TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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