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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTB713ZETL
DTB713ZETL
DTB713ZETL
Modelo do Produto:
DTB713ZETL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14220 Pieces
Ficha de dados:
DTB713ZETL.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:EMT3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-75, SOT-416
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:DTB713ZETL
Frequência - Transição:260MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
Descrição:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

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