DTC114ECAT116
DTC114ECAT116
Modelo do Produto:
DTC114ECAT116
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12460 Pieces
Ficha de dados:
DTC114ECAT116.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SST3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DTC114ECAT116-ND
DTC114ECAT116TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:DTC114ECAT116
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):50mA
Email:[email protected]

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