DTC123JSATP
DTC123JSATP
Modelo do Produto:
DTC123JSATP
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13518 Pieces
Ficha de dados:
DTC123JSATP.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SPT
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:SC-72 Formed Leads
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:DTC123JSATP
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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