DTC314TUT106
DTC314TUT106
Modelo do Produto:
DTC314TUT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16927 Pieces
Ficha de dados:
DTC314TUT106.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):15V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:80mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:DTC314TUT106-ND
DTC314TUT106TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:DTC314TUT106
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 15V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

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