DTD114GCT116
DTD114GCT116
Modelo do Produto:
DTD114GCT116
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17734 Pieces
Ficha de dados:
DTD114GCT116.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SST3
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):-
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DTD114GCT116TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:DTD114GCT116
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Descrição:NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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