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DTD123TSTP
- Modelo do Produto:
- DTD123TSTP
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14775 Pieces
- Ficha de dados:
- DTD123TSTP.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DTD123TSTP, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DTD123TSTP por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 40V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SPT |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Power - Max: | 300mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-72 Formed Leads |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | DTD123TSTP |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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