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DTDG14GPT100
- Modelo do Produto:
- DTDG14GPT100
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15574 Pieces
- Ficha de dados:
- DTDG14GPT100.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 60V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | MPT3 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 10k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | - |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-243AA |
| Outros nomes: | DTDG14GPT100DKR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DTDG14GPT100 |
| Frequência - Transição: | 80MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3 |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 300 @ 500mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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