EC3H02BA-TL-H - ON Semiconductor - Transistores - Bipolar (BJT) - RF EC3H02BA-TL-H

EC3H02BA-TL-H

Modelo do Produto:: EC3H02BA-TL-H

Fabricante:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Descrição:: TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 19196 Pieces

Ficha de dados:: EC3H02BA-TL-H.pdf

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):	10V
Tipo transistor:	NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:	3-ECSP1006
Série:	-
Power - Max:	100mW
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	3-XFDFN
Temperatura de operação:	150°C (TJ)
Fator de ruído (dB Typ @ f):	1dB @ 1GHz
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):	1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:	EC3H02BA-TL-H
Ganho:	8.5dB
Frequência - Transição:	7GHz
Descrição expandida:	RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 100mW Surface Mount 3-ECSP1006
Descrição:	TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:	120 @ 20mA, 5V
Atual - Collector (Ic) (Max):	70mA
Email:	[email protected]

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