ECH8310-TL-H
ECH8310-TL-H
Modelo do Produto:
ECH8310-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 9A ECH8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15191 Pieces
Ficha de dados:
ECH8310-TL-H.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-ECH
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:17 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:ECH8310-TL-H-ND
ECH8310-TL-HOSTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:ECH8310-TL-H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 9A ECH8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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