ECH8619-TL-E
ECH8619-TL-E
Modelo do Produto:
ECH8619-TL-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18270 Pieces
Ficha de dados:
ECH8619-TL-E.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-ECH
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:93 mOhm @ 1.5A, 10V
Power - Max:1.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:869-1156-2
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ECH8619-TL-E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12.8nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A, 2A
Email:[email protected]

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