EMA3T2R
EMA3T2R
Modelo do Produto:
EMA3T2R
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19608 Pieces
Ficha de dados:
EMA3T2R.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Embalagem do dispositivo fornecedor:EMT5
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:EMA3T2R
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Descrição:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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