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EMB6T2R
- Modelo do Produto:
- EMB6T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17224 Pieces
- Ficha de dados:
- EMB6T2R.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para EMB6T2R, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para EMB6T2R por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | EMT6 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 47k |
| Power - Max: | 150mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | EMB6T2R |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Descrição: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para EMB6T2R
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
PBLS4004V,115 | NXP USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 | inquérito |
 |
IMH9AT110 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | inquérito |
|
PEMH13,315 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 | inquérito |
 |
DCX142JU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | inquérito |
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