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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > EMF8T2R
EMF8T2R
EMF8T2R
Modelo do Produto:
EMF8T2R
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18682 Pieces
Ficha de dados:
EMF8T2R.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V, 12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:EMT6
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EMF8T2R
Frequência - Transição:250MHz, 320MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descrição:TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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