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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > EMG8T2R
EMG8T2R
EMG8T2R
Modelo do Produto:
EMG8T2R
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12192 Pieces
Ficha de dados:
EMG8T2R.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:EMT5
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Outros nomes:EMG8T2RTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:EMG8T2R
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Descrição:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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